摩根大通解读AI硬件成本，内存短缺或持续到2028年

By: rootdata|2026/08/11 04:08:43

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CXMT

DRAM

2027 年，CSP 硬件支出近半可能流向内存

过去两年，AI 资本开支讨论更多围绕 GPU、先进封装和数据中心电力展开。但在 AI 服务器中，内存价值量的抬升正在变得同样关键。

二季度业绩后，三大云服务商和 Meta 的资本开支共识继续上调。与此同时，按摩根大通基于 Omdia 硬件资本开支数据的测算，面向 CSP 的内存市场规模占其硬件支出的比例，已从 AI 时代前不足 10%，升至 2026 年的 31%，2027 年预计进一步达到 49%。

也就是说，到 2027 年，CSP 每投入 100 美元硬件资本开支，约 49 美元可能对应内存相关产品。Figure 5 进一步显示，在该模型情景下，这一比例到 2028 年甚至可能升至 60%。

摩根大通测算，CSP 级内存 TAM 占 CSP 硬件资本开支的比例，可能从 AI 时代前不足 10% 升至 2026 年的 31%、2027 年的 49% 和 2028 年的 60%；报告同时提示，超过 50% 的占比可能难以长期维持。

AI 服务器不仅需要更多 HBM，也需要更多服务器 DRAM、SOCAMM，以及围绕 AI CPU 和加速器部署的其他内存方案。GPU 和 AI CPU 出货越多，配套内存就越难继续沿用传统服务器时代的配置比例。

但摩根大通也承认，超过 50% 的内存价值占比会让投资者质疑 AI 资本开支能否持续。未来如果云厂商不能进一步提高硬件预算，就可能继续下调单机内存规格，或者转向成本更低的分层内存和存储方案。

因此，内存占比上升并不只是存储厂商的利好，也意味着 CSP 的 AI 服务器成本和投资回报压力正在同步上升。

规格下调，仍难扭转供需缺口

近期存储股波动的一项重要原因，是市场担心 AI 服务器内存配置下调意味着需求开始降温。

报告称，英伟达 Vera CPU 的 SOCAMM 容量由每颗 1.5TB 下调至 768GB。Rubin Ultra 也可能减少计算 die 数量，并在部分 SKU 中将 HBM4E 配置由 16-Hi 或 12-Hi 下调至 12-Hi 或 8-Hi；Rubin 则可能推出 288GB 和 192GB 两种配置。

在更保守的单卡内存假设下，摩根大通将 2026 至 2028 年 HBM 比特需求下调 4% 至 19%。

但在报告的分析框架中，这类调整主要是客户应对供应不足的方式：降低单颗芯片或单台系统的内存配置，以支持更多 GPU、CPU 和服务器交付，而不是 AI 训练与推理突然不再需要内存。

摩根大通同时承认，规格下调本身确实会削减单位内存需求，缩小供需增长差。只是新增 AI 芯片和服务器的出货量，仍可能抵消单机内存容量下降带来的影响。

按更新后的模型，DRAM 年度供需增长差在 2026 年约为-3%，2027 年扩大至-7%；到 2028 年，供给增速可能反超需求约 3 个百分点。NAND 的年度供需增长差则分别约为-3%、-5% 和-1%。

这意味着 DRAM 的边际供需状况可能在 2028 年改善，NAND 仍有小幅缺口。但由于此前的短缺已经累积，摩根大通判断两类产品到 2028 年仍不会真正恢复供需平衡。

摩根大通 8 月模型显示，DRAM 年度供需增长差在 2027 年降至-7%，2028 年改善至+3%；NAND 则由 2027 年的-5% 改善至 2028 年的-1%，但此前累积的绝对缺口尚未完全消失

HBM 也是同一逻辑。摩根大通测算，更新后的 HBM 供需缺口在 2026 至 2028 年分别约为-15%、-14% 和-22%。与 5 月模型相比，规格下调使短缺程度有所收窄，但尚未使市场转为过剩。

在更保守的配置假设下，Rubin Ultra 部分版本的 HBM 容量由 1024GB 或 768GB 降至 576GB 或 384GB，Rubin 则可能配置 192GB 或 288GB；规格下调后，HBM 市场仍未转为过剩

HBM 短缺延续，价格继续上涨

在短缺延续的情景下，HBM 价格是报告中最受关注的数字之一。

摩根大通预计，2027 年混合 HBM 均价将同比上涨 42%，其中同规格产品价格可能上涨 30% 至 40%。到 2028 年，同规格产品涨价幅度可能降至 10% 以内，但产品结构升级仍可能推动混合均价同比上涨 22%。

摩根大通预计，HBM 供需缺口在 2026 至 2028 年分别约为-15%、-14% 和-22%，累计短缺扩大；混合 HBM 均价则可能在 2027 年上涨 42%，2028 年在产品升级推动下再涨 22%

这些数字均为报告的模型预测，并非供应商已经确定的统一价格表。

支撑价格的原因之一，是 HBM 产品升级节奏有所放缓。8-Hi 产品生命周期被拉长，12-Hi 爬坡速度下降，16-Hi 采用时间延后。在供应持续受限的情况下，这反而可能强化主要供应商的议价能力。

与此同时，大客户长期协议，即 LTA，也开始改变传统内存周期的波动方式。

报告显示，三星电子和美光披露的 LTA 预付款约占合同价值的 20% 至 25%，部分协议覆盖或贡献的出货量比例约为 50% 至 70%。多数 LTA 围绕服务器和 AI 内存展开，并采用差异化、灵活的定价结构。

主要内存厂商披露的 LTA 在期限、出货覆盖、预付款和定价机制上存在差异，但整体合同条件更有利于供应商，且主要面向服务器和 AI 内存

摩根大通估计，CSP 和 AI 相关需求可能占相关合同总比特量的 70% 以上、收入的 85% 以上。服务器内存相较非服务器应用还享有明显的价格和利润率溢价。

对三星电子、SK 海力士和美光等供应商来说，LTA 可以提高订单和现金流的可见度，并让价格上涨曲线更加平滑。但报告也承认，LTA 定价结构并不透明，其实际覆盖比例和灵活定价机制仍有待观察。

如果 CSP 资本开支放缓，或者 AI 服务器继续下调内存配置，合同执行节奏和最终价格仍可能调整。因此，LTA 可以降低内存周期的波动，却不能彻底消除周期。

-- 价格

新增产能追不上需求，短缺卡在晶圆供给

短缺延续至 2028 年的关键前提，是新增供给难以及时落地。

摩根大通测算，为使 2028 年的 DRAM 供需达到平衡，行业需要额外增加约 5.5EB 供应，对应约 29.9 万片/月的晶圆产能；NAND 则需要额外增加约 76EB 供应，对应约 4.4 万片/月产能。

摩根大通测算，为实现 2028 年供需平衡，DRAM 需要额外增加约 5.5EB 供应和 29.9 万片/月产能；NAND 需要额外增加约 76EB 供应和 4.4 万片/月产能。

报告认为，即使把已经公开的扩产项目全部纳入模型，新增供应仍不足以彻底填补缺口。

新建晶圆厂也不是短周期动作。从破土到量产爬坡通常需要 2 至 2.5 年。SK 海力士 M15X 已经开始逐步贡献产能，龙仁集群一期预计自 2027 年 3 月起爬坡；三星 P4 仍在扩产，新建 P5 预计 2027 年第四季度开始出片；美光 Boise ID1 和 PSMC P5 则预计自 2027 年第二季度起逐步贡献产能。

即使这些项目如期推进，摩根大通预计，全球 DRAM 月度晶圆产能也只是从 2025 年底的约 190 万片升至 2028 年底的 285 万片，仍低于实现供需平衡所需的水平。

HBM 本身还会挤压传统 DRAM 供应。到 2028 年底，HBM 相关晶圆可能占 DRAM 总产能约 32%。由于 HBM 的 die penalty 约为普通 DRAM 的 3 至 4 倍，生产同等容量的 HBM 会消耗更多晶圆资源，从而进一步限制传统服务器和消费级 DRAM 供应。

中国厂商带来的影响则需要分别讨论。

摩根大通预计，CXMT 到 2028 年的 DRAM 产能和比特份额将分别达到约 16% 和 11%，但在高密度服务器 DRAM 及 HBM3E 以上产品上，仍落后领先厂商约 2 至 3 年。因此，其扩产短期内对高端 AI 内存的直接冲击有限。

相比之下，报告认为 YMTC 的 NAND 单位晶圆比特产出已大致追平行业龙头。到 2028 年，其全球 NAND 产能和比特份额都可能接近 16%，因此 NAND 面临的中国新增供给压力高于 DRAM。