英特尔发布支持120㎜封装的EMIB-T技术，挑战TSMC

英特尔发布了支持最大120×120㎜封装的下一代先进封装技术EMIB-T。虽然技术验证良率已达到90%，但需与最终量产良率区分开来。EMIB-T利用硅通孔（TSV）来改善电力供应和高速信号传输性能，目标是实现25微米的凸点间距、120×120㎜封装、9个以上光刻面积的运算和内存硅集成，以及支持HBM4e 12Gb/s和UCIe 64Gb/s。AI加速器和高性能计算（HPC）芯片的大型化是EMIB-T受到关注的背景。TSMC的CoWoS通过大型硅中介连接逻辑芯片和HBM，而英特尔的EMIB系列则采用小型硅桥的布局结构，从而减少硅的使用量和制造负担。分析师郭明錤指出，EMIB-T的技术验证良率达到90%是积极的，但将良率提升到90%以上的过程将是困难的。TSMC正在扩大CoWoS的生产规模，预计到2026年将生产14倍光刻产品。英特尔表示，正在扩大面向外部客户的先进封装业务，合同规模接近每年数十亿美元。EMIB-T的竞争力将在外部客户产品的量产良率和实际采用案例公开后进行评估。

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