SK Hynix投资380亿美元以扩大芯片生产

韩国内存芯片制造商SK Hynix Inc.宣布了一项价值54万亿韩元（约合380亿美元）的扩产计划。这项投资旨在将产品产量翻倍，以应对全球内存芯片的短缺。公司将在龙仁建设一座新的DRAM内存生产工厂，并在清州建立一座NAND闪存制造厂。新的龙仁Y2工厂将是计划在龙仁半导体集群内建设的四个设施中的第二个。建设将于明年7月开始，首个高带宽内存（HBM）和其他下一代DRAM的洁净室预计在2029年6月投入使用。清州M17工厂的扩建将于2月启动，洁净室预计在2028年底投入使用。整体投资周期预计持续到2031年4月。韩国计划在五年内将国家内存生产能力翻倍。SK Hynix在首尔证券交易所的股价下跌了4.9%，但在第三季度有关新资本回报计划的消息发布后，部分回升。此外，公司还计划在2026年投资310亿美元用于资本支出，比去年增加50%。

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